MoO3 기반 실리콘 이종접합 IR 영역 광검출기 개발

박왕희; 김준동; 최인혁

doi:https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.525

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자료유형: 학술저널

저자정보: 박왕희 (인천대학교 전기공학과 광전에너지소자연구실) 김준동 (인천대학교) 최인혁 (한국전력공사)

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제8호

발행연도: 2017.8

수록면: 525 - 529 (5page)

DOI: https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.8.525

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2017

MoO3 기반 실리콘 이종접합 IR 영역 광검출기 개발

박왕희 , 김준동 , 최인혁 전기전자재료학회논문지 2017.08 학술저널

MoO₃ nanowire 기반 p-type 실리콘 이종접합 광범위 파장 광검출기

박왕희 , 김준동 한국진공학회 학술발표회초록집 2017.08 학술대회자료

2016

MoOx 기반 실리콘 이종접합 고성능 광검출기

박왕희 , 김준동 전기전자재료학회논문지 2016.01 학술저널

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높은 투과율과 낮은 반사율을 갖는 n-type 산화물 반도체 MoO3와 p-type 실리콘의 산화물 반도체-반도체 이종 접합을 이용하여 IR 광검출기를 제작하였다. 실리콘의 밴드갭은 1.12eV로 빛이 조사될 때 약 1100nm 이하 파장의 빛을 흡수하며 본 실험의 MoO3의 밴드갭은 3.7eV로 약 335nm 이상 파장의 빛은 투과가 된다. 본 실험에서 Magnetron sputtering system 및 Rapid thermal processing (RTP)을 이용하여 증착한 MoO3는 XRD 분석을 통해 확인하였다. 이러한 광학적 특성을 지니는 MoO3와 p-type 실리콘을 이용하여 p-n 접합을 만들고 전면 및 후면에 Al을 증착하여 Al/n-MoO3/p-type si/Al. 구조의 산화물 반도체-반도체 이종 접합 광 검출기를 제작하였으며 MoO3 및 광검출기의 전기, 광학, 물질 특성을 측정하였다. 본 광검출기는 약 12.523의 상당히 명확한 정류 특성을 가지며, 900nm와 1100nm의 파장의 빛에서 각 각 4.15, 3.79의 높은 광응답을 보였다. 또한 두 파장에서의 상승 시간과 하강 시간은 약 65.69 ms와 71.85 ms로 상당히 빠른 광응답 속도를 보였다. 이러한 결과 및 실험 진행 과정에 대한 정보는 차후 고성능의 IR 광검출기 제작에 있어 상당한 이점이 될 것이다.

#MoO3 #p-type silicon #Photoresponse #IR #Photodetector

참고문헌 (13)

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Jia-Min Shieh / 2007 / Enhanced photoresponse of a metal-oxide-semiconductor photodetector with silicon nanocrystals embedded in the oxide layer / Applied Physics Letters 90(5):051105

H. S. Bae / 2003 / Photodetecting properties of ZnO-based thin-film transistors / Applied Physics Letters 83(25):5313~5315

Erli Chen / 1997 / High-efficiency and high-speed silicon metal–semiconductor–metal photodetectors operating in the infrared / Applied Physics Letters 70(6):753~755

O.M. Nayfeh / 2004 / Thin Film Silicon Nanoparticle UV Photodetector / IEEE Photonics Technology Letters 16(8):1927~1929

Jeong-M. Choi / 2005 / Ultraviolet enhanced Si-photodetector using p-NiO films / Applied Surface Science 244(1-4):435~438

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