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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제9호
발행연도
2016.1
수록면
546 - 551 (6page)

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라디오파 마그네트론 스퍼터링 증착법을 사용하여 성장 온도 100∼400℃에서 사파이어와 석영 기판 위에 SrSnO3:Tb3+ 형광체 박막을 준비하였다. 합성한 SrSnO3:Tb3+ 형광체 박막은 X-선 회절법, 주사전자현미경, 자외선-가시광선-적외선 분광기, 광여기발광 분광기를 사용하여 분석하였다. 그 결과 형광체 박막의 형상, 광학 투과율, 밴드갭 에너지, 발광 세기는 성장 온도에 상당한 의존성을 보였다. 기판의 종류에 관계없이 모든 박막은 비정질 형태를 보였다. 사파이어 기판 위에 성장한 박막의 경우에 최대 결정 입자의 크기는 400℃의 성장 온도에서 나타났으며, 가장 강한 발광은 Tb3+ 이온의 5D4→7F5 전이에 의해 발생한 544 nm의 녹색이었다. 사파이어와 석영 기판 위에 성장된 모든 박막의 광학 투과율은 성장 온도가 100℃에서 400℃로 증가함에 따라 감소하였다. 상기의 결과는 사파이어와 석영 기판 위에 강한 발광 세기를 갖는 SrSnO3:Tb3+ 형광체 박막을 성장하기 위한 최적의 성장 온도는 각각 400과 300℃임을 제시한다.
#Thin film #Phosphor #Sputtering

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M. D. McDaniel / 2015 / Appl. Phys. Rev 2:041301 Crossref X. H. Zhu / 2005 / Solid State Phen. 106:41 Crossref L. Chao / 2011 / J. Phys. Chem. Solids 72:869 Crossref G. Pfaff / 2000 / J. Mater. Sci 35:3017 Crossref L. Chen / 2009 / Mater. Chem. Phys 116:242 Crossref

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