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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김민수 (인제대학교) 임재영 (인제대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제5호
발행연도
2010.9
수록면
365 - 370 (6page)

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분자선 에피택시 방법을 이용하여 GaAs 기판 위에 GaAs 및 AlGaAs 에피층을 성장하면서 성장 멈춤 효과를 연구하였다. 성장멈춤 시간에 따른 에피층 성장 과정은 반사 고에너지 전자회절로 측정하였다. 성장 멈춤 시간은 0, 15, 30, 60초로 하였다. 그리고 성장 멈춤 시간을 달리하여 GaAs/Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>As 다양자우물을 성장한 후 양자우물의 특성을 조사하였다. 반사 고에너지 전자회절의 강도 진동은 성장 멈춤 시간에 영향을 받고 있었다. 그리고 양자우물의 광특성도 성장 멈춤 시간에 의존하고 있었다. 성장 멈춤 시간이 30초일 때 우물과 장벽층 사이에 급준한 계면을 가지는 에피층을 얻을 수 있었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (10)

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