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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.7
- 수록면
- 307 - 313 (7page)
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본 연구에서는 열 화학기상증착법(thermal chemical vapor deposition)을 이용하여 분말 형태의 규소(Si)와 염화니켈 수화물 (NiCl₂ㆍ6H₂O)을 혼합한 후 탄소공급원인 CH4 가스를 주입하여 탄화규소 나노선(SiC nanowire)을 합성하였다. 합성 온도와 CH₄ 가스 유량 변화에 따른 탄화규소 나노선의 구조적 특성을 분석한 결과, 합성온도가 1,400℃, CH₄ 가스의 유량이 300 sccm인 경우가 탄화규소 나노선의 합성에 최적화된 조건임을 라만 분광법(Raman spectroscopy)과 X-선 회절(X-ray diffraction), 주사전자현미경(scanning electron microscopy), 그리고 투과전자현미경(transmission electron microscopy) 분석을 통해 확인하였다. 합성된 탄화규소 나노선의 직경은 약 50∼150 ㎚이며, 곧은 방향성과 높은 결정성을 가지는 입방구조(cubic structure)를 지니고 있었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (16)
참고문헌 신청
1. [단행본] - Y. Gogots / 2006 / Nanomaterials Handbook / Taylor & Francis Group : 283 ~ 316
2. [단행본] - Z. M. Wang / 2008 / One-Dimensional Nanostructures / Springer : 17 ~ 59
3. [학술지(정기간행물)] - 송우석 / 2007 / 적층구조 촉매층(Al/Fe/Al)을 이용한 탄소나노튜브의 합성에서 최상층 알루미늄 층의 역할 / 한국진공학회지 16 (5) : 377 ~ 382
4. [학술지(정기간행물)] - W. Lu / 2006 / / J. Phys. D: Appl. Phys. 39 : R387 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. B. Casady / 1996 / / Solid-State Electronics 39 : 1409 ~
2. [단행본] - Z. M. Wang / 2008 / One-Dimensional Nanostructures / Springer : 17 ~ 59
3. [학술지(정기간행물)] - 송우석 / 2007 / 적층구조 촉매층(Al/Fe/Al)을 이용한 탄소나노튜브의 합성에서 최상층 알루미늄 층의 역할 / 한국진공학회지 16 (5) : 377 ~ 382
4. [학술지(정기간행물)] - W. Lu / 2006 / / J. Phys. D: Appl. Phys. 39 : R387 ~
5. [학술지(정기간행물)] - J. B. Casady / 1996 / / Solid-State Electronics 39 : 1409 ~
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