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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.5
- 수록면
- 199 - 205 (7page)
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수열합성법(hydrothermal) 방식으로 성장한 ZnO 기판에 고에너지의 전자빔을 조사시킨 후 쇼트키(Schottky)다이오드를 제작하여 결함상태와 전기적 특성 변화를 조사하였다. 1 MeV 및 2 MeV 전자빔으로 1×10<SUP>16</SUP> electrons/㎠ dose로 기판의 Zn 면에 조사하였다. 1 MeV 전자빔이 조사된 시료에서는 표면에 전자빔 유도결함을 형성시켜 누설전류를 증가시켰고, 2 MeV 전자빔의 경우는 오히려 다이오드 누설절류 감소와 on/off 특성을 향상시키는 것으로 나타났다. 이들 시료에 대한 DLTS (deep level transient spectroscopy) 측정결과 전자빔 조사에 따른 전기적 물성변화는 활성화에너지와 포획단면적이 각각 E<SUB>c</SUB>-0.33 eV 및 2.97×10<SUP>-15</SUP> ㎝<SUP>-2</SUP>인 O-vacancy가 주된 연관성을 보였으며, 활성화에너지 E<SUB>v</SUB>+0.8 eV인 결함상태도 새롭게 생성되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - A. Janotti / 2007 / / Phys. Rev. B 76 : 165202 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Y. Polyakov / 2003 / / Appl. Phys. Lett. 83 : 1575 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. Lorenz / 2006 / / Appl. Phys. Lett. 89 : 243510 ~
4. [학술지(정기간행물)] - M. Yoshikawa / 2008 / / Appl. Phys. Lett. 92 : 113115 ~
5. [학술지(정기간행물)] - Z.-Q. Fang / 2007 / / J. Appl. Phys. 101 : 086106 ~
2. [학술지(정기간행물)] - A. Y. Polyakov / 2003 / / Appl. Phys. Lett. 83 : 1575 ~
3. [학술지(정기간행물)] - M. Lorenz / 2006 / / Appl. Phys. Lett. 89 : 243510 ~
4. [학술지(정기간행물)] - M. Yoshikawa / 2008 / / Appl. Phys. Lett. 92 : 113115 ~
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