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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제3호
발행연도
2007.5
수록면
205 - 209 (5page)

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Atomic layer deposition(ALD)를 이용하여 Si와 soda lime glass 기판 위에 ZnO 박막을 증착하였다. 기판의 온도는 비교적 저온인 130℃~150℃를 채택하였다. 증착결과 단위 cycle 당 2.72 Å이 증착되어 균일한 박막이 증착되었음이 확인되었다. 증착된 박막의 결정성을 X-ray diffraction(XRD)으로 조사해본 결과 비교적 저온에서도 (100)과 (101)방향의 성장이 우세하였다. 또 Auger electron spectroscopy(AES)로 분석해본 결과 불순물이 없는 순도 높은 박막이 성장되었음을 알 수 있었다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험결과 및 토의
Ⅳ. 결론
감사의 글
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