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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
윤명수 (광운대학교) 현덕환 (주성엔지니어링) 진법종 (주성엔지니어링) 최종용 (주성엔지니어링) 김정식 (주성엔지니어링) 강형동 (주성엔지니어링) 이준신 (성균관대학교) 권기청 (광운대학교)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제19권 제2호
발행연도
2010.3
수록면
114 - 120 (7page)

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일반적으로 결정질 실리콘 태양전지에서 표면에 텍스쳐링(texturing)하는 것은 알칼리 또는 산성 같은 화학용액을 사용하고 있다. 그러나 실리콘 부족으로 실리콘의 양의 감소로 인하여 웨이퍼 두께가 감소하고 있는 추세에 일반적으로 사용하고 있는 습식 텍스쳐링 방법에서 화학용액에 의한 많은 양의 실리콘이 소모되고 있어 웨이퍼의 파손이 심각한 문제에 직면하고 있다. 그리하여 습식 텍스쳐링 방법보다는 플라즈마로 텍스쳐링할 수 있는 건식 텍스쳐링 방법인 RIE (reactive ion etching) 기법이 대두되고 있다. 그리고 습식 텍스쳐링으로는 결정질 실리콘 태양전지의 반사율을 10% 이하로는 낮출 수가 없다. 다결정 실리콘 웨이퍼 표면에 텍스쳐링을 하기 위하여 125 ㎜ 웨이퍼 144개를 수용할 수 있는 대규모 플라즈마 RIE 장비를 개발하였다. 반사율을 4% 이하로 낮추기 위하여 공정가스는 Cl₂, SF?, O₂를 기반으로 RIE 텍스쳐링을 하였고 텍스쳐링의 모양은 공정가스, 공정시간, RF 주파수 등에 의해 조절이 가능하였다. 본 연구에서 RIE 공정을 통하여 16.1%의 변환효율을 얻었으며, RF 주파수가 텍스쳐링의 모양에 미치는 영향을 살펴보았다.

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (11)

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