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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 14 - 21 (8page)
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Ge은 Si에 비하여 높은 이동도를 갖기 때문에 차세대 고속 metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) 소자를 위한 channel 물질로서 각광받고 있다. 그러나 화학적으로 안정한 게이트 산화막의 부재는 MOS 소자에 Ge channel의 사용에 주요한 장애가 되어왔다. 특히, Ge 기판 위에 고품질의 계면 특성을 갖는 게이트 절연막의 제조는 필수 요구사항이다. 본 연구에서, HfOxNy 박막은 Ge 기판 위에 플라즈마 원자층 증착법(plasma-enhanced atomic layer deposition, PEALD)을 이용하여 증착되었다. 플라즈마 원자층 증착공정 동안에 질소는 질소, 산소 혼합 플라즈마를 이용한 in situ 질화법에 의하여 첨가되었다. 산소 플라즈마에 대한 질소 플라즈마의 첨가로 성분비를 조절함으로써 전기적 특성과 계면 성질을 향상시키는데 초점을 맞추어서 연구를 진행하였다. 질소 산소의 비가 1：1이었을 때, EOT의 값의 10% 감소를 갖는 고품질의 소자 특성을 보여주었다. X-ray photoemission spectroscopy (XPS)와 high resolution transmission electron microscopy (HR-TEM)를 사용하여 박막의 화학적 결합 구조와 미세구조를 분석하였다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 토의 및 고찰
Ⅴ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (23)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - 김영철 / 2009 / 범밀도함수론을 이용한 정방정계-HfO₂/Si의 계면 층 구조 연구 / 한국진공학회지 18 (1) : 9 ~ 14
2. [학술지(정기간행물)] - 조영제 / 2009 / 투명전자소자를 위한 HfO₂ 계 투명 MIM 커패시터 특성연구 / 한국진공학회지 18 (1) : 30 ~ 36
3. [학술대회논문] - S. C. Song / 1998 / / Electron Devices Meeting : 373 ~
4. [학술지(정기간행물)] - H. Kim / 1996 / Leakage current and electrical breakdown in metal‐organic chemical vapor deposited TiO2 dielectrics on silicon substrates / Appl. Phys. Lett. 69 : 3860 ~
5. [학술지(정기간행물)] - B. H. Lee / 1999 / Effects of interfacial layer growth on the electrical characteristics of thin titanium oxide films on silicon / Appl. Phys. Lett. 74 : 3143 ~
2. [학술지(정기간행물)] - 조영제 / 2009 / 투명전자소자를 위한 HfO₂ 계 투명 MIM 커패시터 특성연구 / 한국진공학회지 18 (1) : 30 ~ 36
3. [학술대회논문] - S. C. Song / 1998 / / Electron Devices Meeting : 373 ~
4. [학술지(정기간행물)] - H. Kim / 1996 / Leakage current and electrical breakdown in metal‐organic chemical vapor deposited TiO2 dielectrics on silicon substrates / Appl. Phys. Lett. 69 : 3860 ~
5. [학술지(정기간행물)] - B. H. Lee / 1999 / Effects of interfacial layer growth on the electrical characteristics of thin titanium oxide films on silicon / Appl. Phys. Lett. 74 : 3143 ~
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