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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제6호
발행연도
2008.11
수록면
555 - 559 (5page)

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순방향 전압-온도 (forward voltage-temperature)법을 이용하여 양자점 레이저 다이오드의 접합온도를 측정하였다. 식각 깊이가 깊은 mesa 구조의 경우 입력전류에 대한 접합온도의 증가율은 0.05 K/㎃인 반면, 식각 깊이가 낮은 mesa 구조의 경우 0.07 K/㎃로서 상대적으로 높게 측정되었다. 깊은 mesa 구조에서의 상대적으로 낮은 접합온도 증가율은 mesa 측면 방향으로의 열확산 효과 때문인 것으로 설명된다.
#레이저 다이오드 #양자점 #접합온도 #Laser diodes #Quantum dots #Junction temperature

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (14)

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1. [학술지(정기간행물)] - S. Todoroki / 1985 / J. Appl / Phys 58 (1124) google schola 2. [학술지(정기간행물)] - H. I. Abdelkader / 1992 / Rev. Sci / Instrum 63 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - S. Murata / 1992 / J. Appl / Phys 72 (2514) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - W. Epperlein / 1993 / Appl. Phys / Lett 62 (3074) google schola 5. [학술지(정기간행물)] - D. C. Hall / 1992 / Appl. Phys / Lett 61 (384) google schola

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