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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제6호
발행연도
2008.11
수록면
523 - 527 (5page)

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GaAs/AlGaAs 물질계를 기반으로 한 양자폭포레이저를 제작하였다. 양자폭포레이저는 활성층의 위까지만 식각된 shallow mesa 구조와 활성층까지 식각된 deep mesa 구조로 제작되었다. shallow mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도가 26-32 ㎄/㎠이었지만 deep mesa 구조의 경우 문턱전류 밀도는 13 ㎄/㎠로 대단히 감소되었다. Deep mesa 구조에서의 문턱전류 감소는 측면 방향으로의 전류 손실이 감소되었기 때문으로 설명되었다.
#양자폭포레이저 #양자우물 #문턱전류 #Quantum cascade lasers #Quantum well #Threshold current

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (13)

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1. [학술지(정기간행물)] - N. Suzuki / 1997 / Jpn. J. Appl / Phys google schola 2. [학술지(정기간행물)] - C. Gmachl / 2000 / Appl. Phys / Lett 77 (334) google schola 3. [학술지(정기간행물)] - K. Kishino / 2002 / Appl. Phys / Lett 81 (1234) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - M. Rochat / 2002 / Appl. Phys / Lett 81 (1381) google schola 5. [학술지(정기간행물)] - G. Scalari / 2003 / Appl. Phys / Lett 82 (3165) google schola

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