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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.7
- 수록면
- 359 - 364 (6page)
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금속 유기화학 증착기 (metal-organic chemical vapor deposition)를 이용하여 사파이어 기판 위에 Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>N/GaN 및 Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>N/GaN/Al<SUB>0.15</SUB>Ga<SUB>0.85</SUB>N/GaN 이종접합 구조들을 성장하고, 이들 시료의 전자와 정공들 간의 구속 효과를 조사하기 위하여 광학적, 구조적 특성을 비교하였다. 저온 (10 K) photoluminescence 실험으로부터 Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>N/GaN 단일 이종접합 구조의 경우 3.445 eV에서 단일의 이차원 전자가스 (two-dimensional electron gas; 2DEG) 관련된 발광을 관찰한 반면, Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>N/GaN/Al<SUB>0.15</SUB>Ga<SUB>0.85</SUB>N/GaN 다중 이종접합 구조의 경우 3.445 eV에서 뿐만 아니라, 3.42 eV에서 추가적인 2DEG 관련된 발광을 관찰 할 수 있었다. 이 두 개의 2DEG 관련 신호들의 근원을 조사하기 위하여 Al<SUB>0.3</SUB>Ga<SUB>0.7</SUB>N/GaN/Al<SUB>0.15</SUB>Ga<SUB>0.85</SUB>N/GaN 다중 이종접합구조에서의 에너지 밴드 구조를 이론적으로 계산하여 실험과 비교한 결과, 하나의 2DEG에 의한 서로 다른 버금띠로 부터가 아닌 다중 구조에 형성된 두 개의 2DEG로부터의 신호로 해석되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
참고문헌 (19)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - K, Nishihori / 1998 / IEEE Trans / Electron Devices 45 (1385)
2. [학술지(정기간행물)] - K. Mochizuki / 2005 / Electron / Lett 37 (252)
3. [학술지(정기간행물)] - T. O. Dickson / 2005 / IEEE J / Solid-State Circuits 40 994
4. [학술지(정기간행물)] - C. H. Oxley / 2005 / IEEE Trans / Electron Devices 52 (165)
5. [기타자료] - J. Ao / 2000 / IEEE electron Device Lett
2. [학술지(정기간행물)] - K. Mochizuki / 2005 / Electron / Lett 37 (252)
3. [학술지(정기간행물)] - T. O. Dickson / 2005 / IEEE J / Solid-State Circuits 40 994
4. [학술지(정기간행물)] - C. H. Oxley / 2005 / IEEE Trans / Electron Devices 52 (165)
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