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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제5호
발행연도
2008.9
수록면
461 - 465 (5page)

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적층 박막 내에서의 상변화는 주변 층에 영향을 준다. 결정화가 게이트 절연층에 주는 영향이 제거된 선결정화법(precrystallization)이 금속 유도 일측면 결정화(metal-induced unilateral crystallization)에 의해 제작된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 및 회로의 전기적 특성에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. 이 방법으로 만들어진 소자는 일반적인 후 결정화(postcrystallization) 소자에 비하여 높은 전류 구동력을 보였다. 여기에 본 연구는 DC bias에 의한 ring oscillator의 특성 변화를 연구하였다. 선결정화된 실리콘 박막을 이용하여 제작한 PMOS inverter는 후결정화된 실리콘 박막을 이용하여 제작한 inverter에 비하여 매우 동적(dynamic)이고도 안정적인 특성을 보였다.
#금속 유도 일측면 결정화 #다결정 실리콘 박막 트랜지스터 #선결정화법 #ring oscillator #Metal-induced unilateral crystallization #Polycrystalline silicon thin-film transistor #Precrystallization

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 실험결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (10)

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1. [학술지(정기간행물)] - R. B. Iverson / 1987 / Appl / Phys 62 (1675) google schola 2. [학술지(정기간행물)] - K. H. Kim / 2002 / SID Tech / Dig 150 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - Z. Meng / 2000 / IEEE Trans / Electron Devices 47 (404) google schola 4. [학술지(정기간행물)] - N. -K. Song / 2007 / J. Electrochem / Soc 154 (H370) google schola 5. [기타자료] - T. H. Kim / 2001 / Int. Microprocesses and Nanotechnology Conf google schola

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