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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제3호
발행연도
1995.9
수록면
313 - 318 (6page)

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비정질실리콘의 고상결정화 및 다결정실리콘의 열산화를 포함한 고온공정으로 제작한 다결정실리콘 박막 트랜지스터의 서프트레시홀드 특성을 연구하였다. 제작된 소자의 전계효과이동도는 60㎠/Vㆍs 이상, 서브트레시홀드 스윙은 0.65 V/decade 이하로 전기적 특성이 매우 우수하다. 그러나, 소자의 문턱전압이 음게 이트전압으로 크게 치우쳐 있으며 n-채널과 p-채널 소자간의 서브트레시홀드 특성이 크게 다르다. 열성장된 게이트 산화막을 가진 다결정실리콘 박막 트랜지스터의 서브트레시홀드 특성을 다결정실리콘 활성층내의 트랩과, 게이트산화막과 다결정실리콘 사이의 계면 고정전하를 이용하여 모델링하였다. 시뮬레이션을 통하여 제안된 다결정실리콘의 트랩모델이 실험결과를 잘 설명할 수 있음을 확인하였다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experiments and Results

3. Modeling and Simulation

4. Conclusion

References

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