지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.3
- 수록면
- 156 - 159 (4page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
Pseudo-MOSFET 방법을 이용하여 Ge농도에 따른 SiGe-on-Insulator(SGOI) 기판의 특성을 평가하였다. SGOI 기판은 compressive-SiGe / Relaxed-Si / Buried oxide / Si-substrate 구조로 SOI 기판 위에 에피택셜 성장법으로 SiGe층을 형성하였으며 compressive SiGe층의 Ge 농도는 각각 16.2％, 29.7％, 34.3％, 56.5％ 이다. 실험결과 Ge 농도가 증가함에 따라 누설전류가 증가하는 특성을 보였으며 threshold voltage는 nMOSFET의 경우 3V 에서 7V 로 이동하였으며 pMOSFET의 경우도 -7 V 에서 -6 V 로 이동하는 특성을 보였다. 급속 열처리 공정 (rapid thermal anneal) 후에 매몰 산화층과 기판 계면간의 스트레스에 의한 포획준위가 발생하여 소자특성이 열화되었지만, H₂/N₂ 분위기에서 후속 열처리 공정 (post RTA anneal) 을 통하여 계면 간의 포획준위를 감소시켜 SGOI Pseudo-MOSFET의 전기적 특성이 개선되었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
1. [기타자료] - S. I. Takagi / 2005 / Solid-State Electronics 49
2. [학술대회논문] - T. Tezuka / 2006 / Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers
3. [기타자료] - T. Mizuno / 1999 / IEDM, 943
4. [학술지(정기간행물)] - S. Cristoloveanu / 1992 / IEEE / Electron Devices 13 102
5. [학술지(정기간행물)] - W. J. Cho / 2007 / Appl. Phys / Lett 90 (143509)
2. [학술대회논문] - T. Tezuka / 2006 / Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers
3. [기타자료] - T. Mizuno / 1999 / IEDM, 943
4. [학술지(정기간행물)] - S. Cristoloveanu / 1992 / IEEE / Electron Devices 13 102
5. [학술지(정기간행물)] - W. J. Cho / 2007 / Appl. Phys / Lett 90 (143509)
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
Pseudo-MOSFET을 이용한 SiGe-on-SOI의 Ge 농도에 따른 기판의 특성 평가 및 열처리를 이용한 전기적 특성 개선 효과
한국진공학회 학술발표회초록집
2008 .02
-
Characteristics of capacitorless 1T-DRAM on SGOI substrate with thermal annealing process
한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .08
-
SOI 특성 분석을 위한 Pseudo - MOSFET 측정용 소자 제작에 있어 식각공정이 미치는 영향과 대책
한국진공학회 학술발표회초록집
2004 .08
-
Ion - cut에 의한 SOI웨이퍼 제조 및 특성조사
Applied Science and Convergence Technology
2005 .06
-
실리콘-게르마늄 합금의 전자 소자 응용
Applied Science and Convergence Technology
2011 .03
-
Effect of rapid thermal annealing (RTA) on structural properties of carbon nanotubes
한국진공학회 학술발표회초록집
2007 .02
-
Performance of Capacitorless 1T-DRAM Using Strained-Si Channel Effect
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
-
Temperature Effect on the Interface Trap in Silicon Nanowire Pseudo-MOSFETs
한국진공학회 학술발표회초록집
2013 .02
-
SiGe 집적회로 내의 다결정 SiGe 박막 저항기의 특성 분석
Applied Science and Convergence Technology
2007 .11
-
Optimization of μc-SiGe:H Layer for a Bottom Cell Application
한국진공학회 학술발표회초록집
2014 .02
-
Ge 층을 증착한 Si 기판에서의 Ge Nanowire에 대한 특성 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2009 .08
-
Effects of Annealing Temperature on Capacitance-Voltage Characteristics of Al/HfO2/Ge Capacitors
한국진공학회 학술발표회초록집
2018 .08
-
Effect of Si, Ge Pre - implant induced Defects on Electrical properties of P+-n Junctions during Rapid Thermal Annealing
한국진공학회 학술발표회초록집
1995 .06
-
Gate Oxide 두께에 따른 NMOSFET 소자의 전기적 특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2012 .08
-
실리콘 - 게르마늄 바이시모스 공정에서의 실리콘 - 게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터 열화 현상
Applied Science and Convergence Technology
2005 .03
-
고상 확산 방법에 의한 SOI MOSFET 소자제작과 후속 열처리에 의한 동작특성 개선
한국진공학회 학술발표회초록집
2006 .08
-
Study of Microwave Annealing for Fabrication of Silicon-on-Insulator MOSFETs
한국진공학회 학술발표회초록집
2017 .02
-
O₂ 플라즈마 표면처리에 의한 Bio-FET 소자의 특성 열화 및 후속 열처리에 의한 특성 개선
Applied Science and Convergence Technology
2008 .05
-
열주기에 따른 SiGe BiCMOS 소자의 전기적 특성
한국진공학회 학술발표회초록집
2002 .06
-
Epitaxial Growth of Ge on Si(100) and Si(111) Surfaces
Applied Science and Convergence Technology
1993 .06
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001270901