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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제17권 제3호
발행연도
2008.5
수록면
199 - 203 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2008

O₂ 플라즈마 표면처리에 의한 Bio-FET 소자의 특성 열화 및 후속 열처리에 의한 특성 개선
오세만 ,  정명호 ,  조원주 Applied Science and Convergence Technology 2008.05 학술저널
O₂ ashing 표면처리에 의한 Bio-MOSFET 소자의 특성 열화 및 후속 열처리에 의한 특성 개선
오세만 ,  정명호 ,  조원주 한국진공학회 학술발표회초록집 2008.02 학술대회자료

초록· 키워드

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O₂ 플라즈마를 이용한 표면처리 공정이 Bio-FET(biologically sensitive field-effect transistor)에 미치는 영향을 조사하기 위하여, SOI(Silicon-on-Insulator) wafer와 sSOI(strained-Si-on-Insulator) wafer를 이용하여 pseudo-MOSFET을 제작하고 O₂, 플라즈마를 이용하여 표면처리를 진행하였다. 제작된 시료들은 back gated metal contact junction 방식으로 측정되었다. I<SUB>D</SUB>-V<SUB>G</SUB> 특성과 field effect mobility 특성의 관찰을 통하여 O₂ 플라즈마 표면처리에 따른 각 시료들의 전기적 특성변화에 대하여 관찰하였다. 그리고 O₂ 플라즈마 표면처리 과정에서 플라즈마에 의한 손상을 받은 시료들은 2% 수소희석가스(H₂/N₂)를 이용한 후속 열처리 공정을 진행한 후 전기적 특성이 향상되는 것을 관찰할 수 있었다. 이는 수소희석가스를 이용한 후속 열처리 공정을 통하여 산화막과 Si 사이의 계면 준위와 산화막 내부의 전하 포획 준위를 감소시켰기 때문이다.
#Bio #Pseudo-MOSFET #O₂ plasma #forming gas

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (12)

참고문헌 신청
1. [기타자료] - M. Mehrvar / 2004 / Analyst 20 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - C. S. Wu / 2007 / Chi. Sci / Bull 52 (1886) google schola 3. [기타자료] - M. J. Schoning / 2002 / Analyst 127 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - A. Kim / 2007 / Appl. Phys / Lett 91 (103901) google schola 5. [학술지(정기간행물)] - K Lai / 1996 / IEEE Elec. Dev / Lett 17 (82) google schola

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