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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제2호
발행연도
2006.3
수록면
194 - 200 (7page)

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분자선증착기 (Molecular beam epitaxy, MBE)를 이용하여 InP (001) 기판에 자발형성(Self-assembled) InAs/InAlAs, InAs/InAlGaAs 양자점 (Quantum dots, QDs)을 형성하고 구조 및 광학적 특성을 원자력간현미경(Atomic force microscopy, AFM), 투과전자현미경 (Transmission electron microscopy, TEM), 상온 포토루미네슨스 (Photoluminescence, PL) 실험을 통하여 분석하였다. AFM 측정을 통해 표면 형태를 분석한 결과 InAs 양자구조는 기저물질의 표면상태에 따라 양자대쉬, 비대칭적인 형태를 갖는 양자점, 대칭적인 형태를 갖는 양자점과 같이 다양하게 성장되었다. InAlGaAs 물질을 장벽층으로 하는 InAs 양자점의 평균크기는 폭이 대략 23 ㎚, 높이가 약 2 ㎚ 이었다. 성장조건을 다양하게 변화시켜 광통신시스템에 중요한 파장중의 하나인 1.55 ㎛ 발광파장을 갖는 InAs양자점을 형성하였다.
#분자선 증착기 #양자점 #1.55 ㎛ #Molecular beam epitaxy #Quantum dot

목차

국문초록
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
감사의 글
참고문헌
Abstract

참고문헌 (0)

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