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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제4호
발행연도
2000.12
수록면
411 - 418 (8page)

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DC 반응성 스퍼터링법을 이용하여 스퍼터링 가스내 산소함량을 30~70%의 범위에서 변화시키며 상온에서 300 ㎚ 두께의 Al₂O₃ 박막을 제조하였다. 스퍼터링 가스내 산소함량 30~70% 의 조건에서 모두 비정질 Al₂O₃ 박막이 성막되었으며, 스퍼터링 가스내 산소함량에 무관하게 1.58 정도의 굴절계수를 나타내었다. 스퍼터링 가스내 산소함량 50% 이상의 조건으후 증착한 Al₂O₃ 박막은 550 ㎚ 파장에서 98% 정도의 우수한 투과도를 나타내었으나, 산소함량 30% 및 40%의 조건에서는 투과도가 94% 정도로 저하하였다. 스퍼터링 가스내 산소함량 50%의 조건으로 성막한 Al₂O₃ 박막의 유천성수는 10.9, 손실계수는 0.01로 최적의 유전특성을 나타내었다. 스퍼터링 가스내 산소함량 40-60%의 조건으로 증착한 Al₂O₃ 박막은 C-V 곡선에서 flatband 전압 V_(FB)의 이동이 발생하지 않았으며, 150 ㎸/㎝에서 10^(-5) A/㎠ 이하의 우수한 누설전류 특성을 나타내었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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