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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제9권 제3호
발행연도
2000.9
수록면
216 - 220 (5page)

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실리콘이온 주입후 1100℃에서 열처리된 실리콘 산화막에서 Si^+ dose 량의 변화에 대한 광루미니센스의 변화를 관찰하였다. 모든 시료에서 가시광과 적외선영역의 광루미니센스를 관찰할 수 있었다. 광루미니센스의 peak는 7000 Å, 7400 Å, 그리고 8400 Å 근처에 있었으며, Si^+ dose량이 변함에 따라 peak의 위치와 강도가 변하였다. 이온 주입되는 Si^+ dose량이 1×10^(17)/㎠일 때 광루미니센스에서 특이하게 3개의 peak를 가지고 있었으며 다른 Si^+ dose량의 시료에 비하여 큰 강도를 보여준다. 주업된 Si^+ 이온들이 실리콘 산화막내에서 결함을 생성하여서 광루미니센스에 기여를 한다. Si^+ dose량과 열처리 시간등을 변화시키면 높은 에너지의 O위주 radiative defect, 낮은 에너지의 Si위주 radiative defect, 그리고 nonradiative defect들이 관계하는 것으로 생각되어져 왔으나 적절한 Si^+ dose량으로 더 많은 radiative defect를 생성시킬 수 있음을 확언하였다. Si^+ dose량을 조절함으로서 광루미니센스의 peak의 위치와 강도를 제어할 수 있을 것이다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

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