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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.5
- 수록면
- 172 - 178 (7page)
이용수
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2001
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반도체 제조 공정 중 플라즈마 반응기 내에서 입자 오염을 유발하는 입자들의 거동과 성장을 모델 식을 사용하여 이론적으로 고찰하였다. 플라즈마 반응기 내에서 입자 거동에 영향을 미치는 힘들로 유체 대류, 입자 확산 및 외부힘 (ion drag force, electrostatic force, 중력) 등을 고려하였다. 플라즈마 벌크 영역에서 전하를 가진 입자들간의 충돌에 의한 입자 성장을 고려하기 위해 모델식에 입자 전하 분포를 고려하였다. 대부분 의 입자들은 ion drag force와 electrostatic force가 균형을 이루고 있는 두 sheath 경계 영역에 존재하였으며 두 sheath 영역과 벌크 플라즈마에서의 입자 농도는 0에 접근하였다. 시간이 지남에 따라 입자 충돌로 인한 입자들의 크기는 증가하였으며 입자가 성장함에 따라 입자 표면적의 증가와 더불어 입자가 가지는 평균 전하량도 증가하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 이론
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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