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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2000.5
- 수록면
- 102 - 109 (8page)
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Chemical mechanical polishing (CMP) 공정 중 제거된 막과 연마재의 지꺼기를 제거하기 위하여 일반적으로 사용하는 scrubbing과 같은 기계적인 세정법으로는 기가급 소자 제조사에 요구되는 10^(10)/㎠ 이하의 오염도에 도달하기 어렵다. 따라서 이러한 기계적인 세정법에 이어 충분히 제거되지 못한 금속오염물을 제거하기 위한 2차 세정이 요구된다. 본 논문에서는 리모트 플라스마 세정법과 UV/O₃ 세정법을 사용하여 oxide CMP 후에 웨이퍼 표면에 많이 존재하는 K, Fe, Cu 등의 금속오염물을 제거하는데 대한 연구결과를 보고하고자 한다. 리모트 수소 플라스마 세정결과에 의하면, 세정시간이 짧을 수록, rf-power가 증가할수록 세정 효과가 우수한 것으로 나타났으며, CMP 공정 후 웨이퍼 표면에 특히 많이 존재하는 금속 불순물인 K, Fe, Cu 등의 오염 제거를 위한 최적 공정 조건은 세정시간이 1분, rf-power가 100 W인 것으로 나타났다. AFM 분석 결과에 의하면 rf-power의 증가에 따라 표면 거칠기가 미소하게 증가하는데, 이것은 플라스마에 의한 손상 때문인 것으로 보이나 그 정도는 무시할만하다. 한편, UV/O₃ 세정의 경우에는 세정공정시간이 30 sec 일때 가장 우수한 세정효과가 얻어졌다. 리모트 수소 플라스마 및 UV/O₃ 세정방법에 의한 Si 웨이퍼 표면의 금속 불순물 제거기구는 Si 표면 금속오염의 하단층에 생성된 SiO₂가 H^+ 및 e-와 반응하여 SiO^*상태로 휘발될 때 금속불순물이 SiO^*에 묻어서 함께 제거되는 것으로 사료된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
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