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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제1호
발행연도
1995.3
수록면
85 - 90 (6page)

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본 연구에서는 투명 전극으로의 응용을 목적으로 PECVD법에 의해 증착된 B이 첨가된 ZnO 박막의 전기 및 광학적 특성을 살펴보았다. B을 첨가하지 않은 ZnO 박막은 비저항이 수 Ω-㎝ 정도의 값을 가지고 있었으며 시간에 따른 비저항의 변화가 컸으나, 2% B₂H_6을 5~16 sccm의 유량 범위에서 첨가한 경우에는 5~9×10^(-2) Ω-㎝의 비저항을 가지고 시간 경과에 따른 비저항의 변화가 아주 작은 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. Van der Pauw법에 의한 Hall 계수의 측정 결과에 의하면, B을 첨가하지 않은 ZnO 박막의 전자 농도는 10^(17)/㎤정도였으나 B을 첨가함으로써 최고 10^(20)/㎤까지 증가하였다. 그러나 B이 첨가되기 전에는 박막의 전하 나르게 이동도가 4 ㎠/Vㆍsec이었으나, B 첨가에 의해 0.7 ㎠/Vㆍsec 이하로 감소하였다. B을 첨가한 경우와 첨가하지 않은 경우의 ZnO 박막은 모두 가시광선영역에서 90% 이상의 광투과율을 가지고 있었으며, B을 첨가한 경우는 전자농도가 증가함에 따라 광학적 밴드 갭이 3.3eV로 부터 3.55 eV로 증가하는 거동을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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