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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1998.2
- 수록면
- 66 - 71 (6page)
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두가지 종류의 Ga₂S₃:Er(A형 및 B형) 단결정을 iodine을 수송매체로 사용하는 화학수송법으로 성장시켰다. 성장된 단결정은 모두 단사정계 결정구조를 갖고 있었다. 광흡수 측정으로부터 구한 광학적 에너지 띠 간격은 13 K에서 A형 단결정이 3.375±0.001 eV, B형 단결정이 3.365±0.001 eV로 주어졌다. 이들 Ga₂S₃:Er 단결정을 Cd-He 레이저의 325 ㎚-선으로 여기하여 측정한 photoluminescence 스펙트럼에서, A형 단결정은 444 ㎚에 피크가 위치하는 강한 청색발광띠가 나타났으며 518 ㎚과 690 ㎚에 피크가 위치하는 녹색발광띠 및 적색발광띠가 나타났다. B형 단결정은 513 ㎚과 695 ㎚에 피크가 위치하는 녹색발광띠 및 적색발광띠만이 나타났다. 두가지 종류의 단결정 모두에서 525 ㎚, 553 ㎚, 664 ㎚, 812 ㎚, 986 ㎚, 1540 ㎚ 파장 영역 부근에 위치하는 예리한 발광피크들이 나타났으며, 이들 예리한 발광피크는 Er^(3+) 이온의 에너지 준위 사이의 전자전이에 의하여 나타나는 것으로 해석된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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