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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.9
- 수록면
- 299 - 303 (5page)
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Erbium metal을 불순물로서 2mol% 첨가한 TlGaS₂ : Er^(3+) 단결정을 수평전기로에서 합성한 ingot를 사용하여 수직 Bridgman 방법으로 성장시켰다. 성장된 결정은 층상으로 이루어진 monoclinic 구조였으며, 10K에서 간접전이형 및 직접전이형 energy band gap은 각각 2.55eV, 2.57eV이었고, Er^(3+) 이온에 의한 두 개의 불순물 광흡수 peak가 524.9 nm와 656.4nm에서 관측되었다. Themally stimulated current(TSC)를 측정하여 0.21eV와 0.38eV의 donor 준위와 0.71eV의 acceptor 준위를 구하였다. 10K에서 측정된 photoluminescence(PL) spectrum에서는 632nm와 759nm에서 D-A pair에 의한 broad한 peak와 552, 559, 666, 813, 816, 827nm에서 Er^(3+) 이온에 의한 sharp한 peak들이 나타났다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
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