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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2001.10
- 수록면
- 335 - 340 (6page)
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RF 마그네트론 스퍼터링법으로 사파이어 기판 위에 Ga을 1 wt% 첨가한 ZnO 박막(GZO)을 기판온도 550℃에서 성장시켜 다결정 박막을 제조하였다. 이러한 박막은 불충분한 전기적 특성이나 PL(Photoluminescence) 특성을 보이고 있다. 이러한 전하농도, 이동도 그리고 PL 특성 등과 같은 전기적 광학적 특성을 향상시키고자 질소분위기 하에서 RTA(Rapid Thermal Annealing) 법으로 800℃와 900℃ 에서 각각 3분씩 후열처리 하였다. RTA법으로 후열처리한 GZO박막의 비저항은 2.6×10^(-4) Ω㎝ 였으며 전자농도와 이동도는 각각 3.9×10^(20)/㎤과 60 ㎠/V.s 였다. 이러한 물리적 성질들의 향상은 열처리시 원자 크기가 비슷한 도핑된 Ga 원자들이 일부 휘발되는 Zn 빈자리로 치환 하면서 침입자리 보다는 치환자리로의 전이에 기인한 것으로 생각된다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
Reference
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