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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제2호
발행연도
1994.6
수록면
190 - 197 (8page)

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본 연구에서는 DC magnetron 스퍼터링법을 이용하여 고정밀, 고저항 저항체 박막으로 TaN_x film을 제조하였을 때 형성될 수 있는 화합물 중 TaN_(0.1), TaN_(0.8)과 TaN 박막의 Rs와 TCR 특성을 평가하고, film층의 우선방향성을 XRD를 이용하여 판명한 뒤 저항체의 Rs와 TCR에 미치는 영향을 조사하였다. TaN_(0.1) 박막이 35Ω/□의 면저항값과 안정된 TCR값을 나타내는 것을 알 수 있었다. 두께 50~200 ㎚의 TaN_(0.1)과 Alumina 기판 사이에 정(+)의 TCR을 갖는 약 50 ㎚의 Cr층을 증착하였을 때 Rs는 180Ω/□과 TCR은 20 ppm/℃인 적층박막을 제조할 수 있었다. TaN_(0.1), TaN_(0.8)과 TaN 시편에서 화합물 형성에 따른 Ta의 결합에너지를 ESCA를 이용하여 조사하였다. 이상의 연구결과로부터 TaN_(0.1) film이 TaN film 보다 고정밀, 고저항 박막 저항체 제조에 있어 우수한 전기저항 특성을 가지며, Cr중간층 형성으로 TCR이 ±20 ppm/℃ 정도로 안정된 고정밀 다층 저항체 박막을 형성할 수 있었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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