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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제3호
발행연도
1992.10
수록면
346 - 352 (7page)

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반자성 반도체인 Mn_xCd_(1-x)Ga₂Se₄의 단결정을 조성비 0≤X≤1 영역에서 TVTP(time-varying temperature profile)에 의한 화학수송법으로 성장하였다. 성장된 단결정은 자연면을 갖는 경면으로 성장되었으며, X=1.0 경우인 MnGa₂Se₄ 단결정의 크기는 12×6×1.5 ㎣이었다. Mn_xCd_(1-x)Ga₂Se₄의 결정구조는 defect chalcopyrite 구조이었으며, 조성비 X가 증가함에 따라 격자상수 a는 선형적으로 감소하고, 격자상수 c는 증가하였다. 또한 distortion factor 2-(c/a)는 감소하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. Mn_xCd_(1-x)Ga₂Se₄(0≤X≤1) 단결정 성장

3. Mn_xCd_(1-x)Ga₂Se₄(0≤X≤1) 단결정의 결정구조

4. 결론

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