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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제3권 제3호
발행연도
1994.9
수록면
346 - 354 (9page)

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삼원화합물 반도체, CuAlSe₂ 및 CuGaSe₂ 단결정의 solid solution인 CuAl_(1-x)Ga_xSe₂ 및 cobalt를 2.0 mol% 첨가한 CuAl(1-x)Ga_xSe₂:Co^(2+) 단결정을 iodine을 수송물질로 사용한 화학수송법으로 성장시켰다. source material로는 CuAl_(1-x)Ga_xSe₂의 화학조성비에서 Se를 3.0mol% 과잉으로 첨가하여 합성한 ingot를 사용하였으며, 불순물이 첨가된 CuAl_(1-x)Ga_xSe₂:Co^(2+) 단결정 성장시에는 source material 에 cobalt 분말을 2.0mol% 첨가하였다. X-선 회절무늬로부터 성장된 단결정들이 chalcopyrite 결정구조를 하고 있음을 확인하였으며 격자상수를 구하였다. 광흡수 spectra 측정으로부터 성장된 단결정의 optical energy gap 조성의존성을 규명하였고, 결정장 이론을 적용하여 CuAl_(1-x)Ga_xSe₂:Co^(2+) 단결정에서 나타나는 cobalt 불순물에 의한 광흡수 peak가 T_d 대칭점에 위치한 Co^(+2) 이온의 에너지 준위들간 전자전이에 의해 나타남을 규명하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 실험결과와 고찰

4. 결론

참고문헌

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