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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.3
- 수록면
- 34 - 38 (5page)
이용수
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핫엠보싱 기술을 이용하여 고분자 광도파로를 제작하기 위해서는 핫엠보싱 마스터가 필수적이며, 본 연구에서는 deep-RIE 공정에 의해 실리콘 마스터를 제작하였다. 광도파로의 직접 연관이 있는 실리콘 마스터의 측면 거칠기를 최소화하기 위해 deep-RIE 공정 수행 후, 온도 1050℃에서 H₂/O₂ 분위기하에 산화층을 각각 400Å, 1000Å, 3000Å, 4500Å, 5600Å 및 6200Å 두께로 형성하였으며, 곧바로 NH₄F:HF=6:1 BOE를 사용하여 산화층을 제거하였다. 제작된 마스터의 측면 거칠기를 SPM-AFM을 이용하여 측정하였으며, 측면 거칠기가 scallop 부분의 경우, 산화층 형성과 제거 후, 12㎚ (RMS)에서 최소 약 6㎚ (RMS)로 개선되었으며, vertical striation 부분은 162㎚ (RMS)에서 최소 39㎚ (RMS)로 개선됨을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
후기
참고문헌
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