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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(2)호
발행연도
1999.8
수록면
297 - 301 (5page)

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수직 Bridgman 방법으로 태양전지의 CdS 적층 성장용 기판으로 쓰이는 CdTe 단결정을 성장하였다. Nakagawa 용액으로 etching한 CdTe {111}면은 피라미드 모형의 전형적인 삼각형 etch pits를 나타내었고 Cd 원자들로 구성된 {111}A면 임을 알았다. {111}A 면에 대한 광발광 측정으로부터 단지 고품질의 단결정에서만 존재하는 free exciton과 매우 강한 세기를 가진 중성 받개 bound exciton 등을 관찰하였다. 이때 중성 받개 bound exciton의 반폭치와 결합 에너지는 각각 7 meV와 5.9 meV 이였다. Haynes rule에 의해서 불순물의 활성화 에너지는 59 meV이였고 따라서 Ag나 Cu원소 등이 중성 받개 역할을 한 것으로 여겨진다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과

4. 결론

참고문헌

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