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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제2호
발행연도
2002.6
수록면
103 - 107 (5page)

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고온 급속 열처리를 행한 LiNbO₃/Si(100) 구조를 가지고 여러 가지 게이트 전극을 증착하여 금속/강유전체/반도체 전계 효과 트랜지스터(MFSFET)를 제작하였으며, 비휘발성 메모리 응용 가능성을 평가하였다. Pt 전극을 사용하여 제작한 FET에서는 같은 “read” 전압 1.5 V에서, “on” 상태의 드레인 전류가 “off” 상태의 드레인 전류보다 1000배 이상 큼을 확인할 수 있었으며, 이는 제작한 MFSFET가 메모리 응용 가능성이 있음을 의미한다. 또한 분극 반전에 사용된 전압이 ±4 V로 낮으므로 저전력 소비용 집적회로에 적용 가능성이 있다고 할 수 있다. 드레인 전류의 시간 의존성, 즉 retention 측정 결과 Al 전극이나 poly-Si 전극의 경우에는 시간이 경과함에 따라 드레인 전류가 큰 폭으로 감소하는 경향을 확인할 수 있었고, Pt 전극의 경우에는 2일 동안 측정된 결과가 초기 값과 거의 일치하는 우수한 retention 특성이 확인되었다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 및 결과

3. 결론

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001264527