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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제4호
발행연도
2002.12
수록면
230 - 234 (5page)

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고온 급속 열처리를 행한 LiNbO₃/Si(100) 구조를 가지고 여러 가지 전극을 사용하여 금속/강유전체/반도체 커패시터를 제작하였으며, 제작한 커패시터의 비휘발성 메모리 응용 가능성을 확인하였다. MFS 커패시터의 C-V 특성 곡선에서는 LiNbO₃ 박막의 강유전성으로 인한 히스테리시스 특성이 관측되었으며, 1 ㎒ C-V 특성 곡선의 축적 영역에서 산출한 비유전율은 약 25 이었다. Pt 전극을 사용하여 제작한 커패시터에서는 인가 전계 500 ㎸/㎝ 범위에서 1×10^(-8) A/㎝ 이하의 우수한 누설전류 특성이 나타났다. midgap 부근에서의 계면 준위 밀도는 약 10¹¹/㎝2ㆍeV 이었으며, 잔류분극 값은 약 1.2 μC/㎠ 였다. Pt 전극과 Al 전극 모두 500 ㎑ 주파수의 바이폴러 펄스를 인가하면서 측정한 피로 특성에서 10^(10) cycle 까지 측정된 잔류 분극 값이 초기 값과 같았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험결과 및 고찰

4. 결론

감사의 글

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