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이 논문의 연구 히스토리 (2)

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전자회절법을 이용하여 K 및 다양한 흡착자에 의한 Si(113)3×2 표면의 상변화를 관찰하였으며 광전자분광법을 이용하여 산소 노출량에 따른 가전자대 빛 내각준위스펙트럼을 관찰하였다. 산소 흡착에 의해 가전자대의 표면상태가 내각준위에서 관찰되는 두 피크(S1, S2)와 동시에 사라지면서 3×1 주기성을 보였다. 특히 이러한 변화가 동종물질인 실리콘 증착에서도 관찰되었으며 후열처리에 의해 3×2 주기성으로 환원되는 것으로 미루어 Si(113)3×2 표면의 3×1으로의 초기 상전이가 실리콘표면의 흡착자에 의해서 형성된 것이 아니며 기판 자체의 재배열과 관련되어 있음을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 및 결과

3. 결론

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001263893