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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제2호
발행연도
1999.5
수록면
153 - 157 (5page)

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분자선 증착법으로 성장시킨 wurtzite 구조의 AlGaN 에피층의 AlN 몰비에 따른 광 흡수 특성을 조사하였다. AlN 몰비는 0에서 1까지 변화시켰으며, 투과 스펙트럼과 photothermal deflection spectroscopy (PDS)를 이용하여 상온에서 흡수 계수를 구하였다. 광 흡수 특성 분석을 위하여 사용된 PDS는 낮은 흡수대에서도 유용하게 적용될 수 있는 장치이다. 투과 스펙트럼과 PDS에 의해 구해진 흡수 계수를 이용하여 AlGaN 화합물의 유효띠간격을 결정할 수 있다. 흡수 계수가 6.3×10⁴cm-¹이 되는 지점에서 AlN 몰비에 따른 AlGaN 화합물의 유효 띠간격이 결정되었다. AlN 몰비에 따른 유효 띠간격을 나타내는 그래프에서 휘어짐 계수를 1.3 eV로 정할 수 있었으며 구해진 휘어짐 계수는 AlGaN 화합물의 유효 띠간격과 잘 부합하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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