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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제2호
발행연도
1999.5
수록면
141 - 147 (7page)

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산화텅스텐 박막의 전기착색 특성은 증착온도, 가스비 등의 증착 조건과 후-열처리온도 등에 많은 영향을 받는다. 본 실험에서는 산화텅스텐 박막의 전기적, 광학적 현상과 구조 변화에 영향을 주는 인자로 가 스비와 온도를 고려하였다. Rf magnetron sputtering 방법으로 ITO(20 Ω/□, 1000 Å) 기판 위에 증착온도를 변화시키면서 산화텅스텐 시편을 제작하였다. 특히, 상온에서 증착한 박막에 대해서는 후-열처리 온도를 변화시켰다. 비정질에 가까운 결정구조를 지닌 상온에서 증착한 시편을 제외한 모든 시편은 다결정 구조를 지녔고, 일반적으로 온도가 증가하면서 결정성이 증가하였다. 100℃에서 증착한 시편은 비교적 규칙적으로 배열된 grain들에 의한 void boundary를 따라 양이온(Li+)들이 쉽게 출입할 수 있는 구조를 지녔으며, 300℃에서 후-열 처리한 시편은 grain들이 작고 조밀한 구조를 지녔지만 명확한 grain boundary가 양이온들의 이동도를 증가시켜 확산 계수와 전하량이 높게 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 토의

4. 결론

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