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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국진공학회(ASCT) Journal of Korean Vacuum Science & Technology Journal of Korean Vacuum Science & Technology Vol.3 No.1
- 발행연도
- 1999.4
- 수록면
- 38 - 42 (5page)
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Using the LOCOS process, we have fabricated the lateral type polysilicon field emission triodes with poly-Si/oxide/Si structure and investigated their current-voltage characteristics for three biasing modes of operation. The fabricated devices exhibit excellent electrical performances such as a relatively low turn-on anode voltage of 14 V at V_(GC) = 0 V, a stable and high emission current of 92 ㎂/triode over 90 hours, a small gate leakage current of 0.23 ㎂/triode and an outstanding transconductance of 57 ㎲/5triodes at V_(GC) = 5 V and V_(AC) = 26 V. These superior electrical operation is believed to be due to a large field enhancement effect, which is related to the sharp cathode tips produced by the LOCOS process as well as the high aspect ratio(height/radius) of the cathode tip end.
목차
Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiment
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusion
Acknowledgements
References
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