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We studied the synthesis of Si_(1-x)C_x (x = 0.016) epitaxial layer using ion implantation and solid phase epitaxy (SPE). The activation energy E_a was obtained for the loss of substitutional carbon using fourier transform-infrared spectroscopy (FTIR) and high-resolution x-ray diffraction (HR-XRD). In FTIR analysis, the integrated peak intensity was used to quantify the loss of carbon atoms from substitutional to interstitial sites during annealing. The substitutional carbon contents in Si_(0.984)C_(0.016) were also measured using HR-XRD. By dynamic simulations of x-ray rocking curves, the fraction of substitutional carbon was obtained. The effects of annealing temperature and time were also studied by comparing vacuum furnace annealing with rapid thermal annealing (RTA).

목차

Abstract

Ⅰ. Introduction

Ⅱ. Experimental Details

Ⅲ. Results and Discussion

Ⅳ. Conclusions

Acknowledgement

References

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001259584