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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제16권 제2호
발행연도
2007.3
수록면
141 - 144 (4page)

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n-GaAs의 시료를 furnace annealing 처리와 laser annealing 처리를 한 후, PR 방법으로 비교 조사하였다. 시료는 Furnace annealing을 5 분간 400~800 ℃에서 처리한 시료와 ArF excimer laser(30~50 W)로 5 분간 Laser annealing 처리 한 시료로 준비하였다. Furnace로 annealing을 한 경우에 주 신호(정점)는 1.43 eV에서 관측되었는데 비해 laser로 annealing 한 샘플은 1.42 eV로 0.01 eV가 더 작게 관측되었다. 이는 laser annealing이 furnace annealing 보다 표면과 내면에서 일어나는 열처리 효과가 더 고르게 일어나가 때문이다.
#photoreflectance #n-GaAs #annealing #FKO

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험 및 이론
Ⅲ. 실험결과 및 논의
Ⅳ. 결론
참고문헌

참고문헌 (2)

참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - / 2005 / Journal of Optics 7 : 463 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - / / Optical Materials google schola

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