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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제4호
발행연도
1996.12
수록면
333 - 340 (8page)

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Cu 확산방지막으로서의 TiN의 특성을 면저항 측정, X선 회절 분석, SEM, AES, capacitance-voltage(C-V) 측정에 의하여 평가하고, Cu의 확산을 민감하게 알아내는 정도를 특성 평가 방법간에 비교하였다. 여러 가지 증착방법에 의하여 Cu/TiN/Ti/SiO₂/Si 구조의 다층 박막시편을 제작하였으며, 이 시편을 10% H₂/90% Ar 분위기, 열처리 온도 500~800℃ 범위에서 2시간 동안 열처리하였다. TiN의 Cu 확산방지 효과가 소멸된 경우 Cu 박막 표면에서 불규칙한 모양의 spot을 관찰할 수 있었으며 outdiffusion된 Si를 검출할 수 있었다. MOS capacitor의 C-V 특성은 열처리 온도에 따라 급격하게 변화하였다. C-V 측정에서 inversion capacitance는 열처리 온도 500~700℃ 범위에서 열처리 온도가 높아질수록 감소하다가 800℃에서 크게 증가하였으며, 이러한 특성의 변화는 TiN을 통해서 SiO₂와 Si 내로 확산된 Cu에 의하여 발생되는 것으로 생각된다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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김봉흡 ,  김진주 대한전기학회 학술대회 논문집 1984 .07

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