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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.12
- 수록면
- 416 - 423 (8page)
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H((19)^F, αγ) 공명 핵반응을 이용하여 박막시료내 수소의 깊이 방향 분포를 측정하였다. 6.5MeV (19)^F 이온 생산에는 Cesium Sputtering 이온원과 1.7MV 직렬형 반데그라프 가속기를 이용하였으며, 반응 생성물인 γ선은 3"×3" NaI 검출기와 6"×8" NaI 검출기로 측정하였다. Si wafer 표면의 수소 오염층, Si₃N₄(H) 및 Zr(O)/a-Si/Si내의 수소 정량 및 적층분석을 시험적으로 수행하여 실제 적용가능성, 검출한계 및 신뢰성 등을 확인하였다.
목차
요약
Abstract
1. 서론
2. 원리
3. 실험
4. 결과 및 논의
5. 결론
감사의 글
참고문헌
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