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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제3호
발행연도
1993.9
수록면
325 - 330 (6page)

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실리콘 gate의 MOS 전자 턴넬링 전극을 구성하여 그 특성을 조사하였다. 전자 방출은 전 gate 영역에서 MOS diode의 전위차를 지나는 턴넬링에 의하여 일어나고 안정하였다. 측정된 전류에서 산화막과 gate에서의 열전자의 충돌을 연구하였다. 방출된 전류는 압력에 관계없이 일정하였다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Fahrication of MOS Tunneling Cathode

3. Emission Characteristics of MOS Cathode

4. Conclusion

References

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