메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sung-Bock Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Sung-Bum Bae (Electronics and Telecommunications Research Institute) Young-Ho Ko (Electronics and Telecommunications Research Institute) Dong Churl Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Eun-Soo Nam (Electronics and Telecommunications Research Institute)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.26 No.4
발행연도
2017.7
수록면
79 - 85 (7page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
The crack-free AlGaN template has been successfully grown by using selective area growth with triangular GaN facet. The triangular GaN stripe structure was obtained by vertical growth rate enhanced mode with low growth temperature of 950℃ and high growth pressure of 500 torr. The lateral growth rate enhanced mode of AlGaN for crackfree and flat surface was also investigated. Low pressure of 30 torr and high V/III ratio of 4400 were favorable for lateral growth of AlGaN. It was confirmed that the 4 μm -thick Al<SUB>0.2</SUB>Ga<SUB>0.8</SUB>N was crack-free over entire 2-inch wafer. The dislocation density of Al<SUB>0.2</SUB>Ga<SUB>0.8</SUB>N was as low as ~7.6 × 10<SUP>8</SUP> /cm<SUP>2</SUP> measured by cathodoluminescence. Based on the high quality AlGaN with low dislocation density, the ultraviolet laser diode epitaxy with cladding, waveguide and GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) was grown by metalorganic chemical vapor deposition. The stimulated emission at 349 nm with full width at half maximum of 1.8 nm from the MQW was observed through optical pumping experiment with 193 nm KrF laser. We also have fabricated the deep ridge type ultraviolet laser diode (UV-LD) with 5 μm-wide and 700 μm-long cavity for electrical properties. The turn on voltage was below 5 V and the resistance was ~55 Ω at applied voltage of 10 V. The amplified spontaneous emission spectrum of UV-LD was also observed from pulsed current injection.
#Crack-free AlGaN #Dislocation density #Selective area growth #Stimulated emission #Ultraviolet laser diode #Amplified spontaneous emission

목차

Abstract
Ⅰ. Introduction
Ⅱ. Experiments
Ⅲ. Results and Discussion
Ⅳ. Conclusions
References

참고문헌 (21)

참고문헌 신청
S.Einfeldt, V. Kirchner, H. Heinke, M.Diebelberg, S. Figge, K. Vogeler, and D. Hommel, J. Appl. Phys., 88, 7029 (2000). S. R. Lee, D. D. Koleske, K. C. Cross, J. A. Floro, K. E. Waldrip, A. T. Wise, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett., 85,.6164 (2004). J.-M. Bethoux, P. Vennegues, F. Natali, E. Feltin, O. Tottereau, G. Nataf, P. De Mierry, and F. Semond, J. Appl. Phys., 94, 6499 (2003). M. Iwaya, S. Terao, N. Hayashi, T. Kashima, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Surf. Sci., 159-160, 405 (2000). S. Kamiyama, M. Iwaya, N. Hayashi, T. Takeuchi, H. Amano, I. Akasaki, S. Watanabe, Y. Kaneko, and N. Yamada, J. Cryst. Growth, 223. 83 (2001).

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

CVD로 성장한 ZnS의 깊이 방향 특성 분석
한원석 ,  김성복 ,  권인회 외 5명 한국진공학회 학술발표회초록집 2018 .08
GaN 전력소자 연구개발 동향 : RF 증폭기 및 전력반도체 응용
문재경 ,  김성복 ,  김해천 외 2명 한국진공학회 학술발표회초록집 2011 .02

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001276549