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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제7권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
1 - 6 (6page)

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Hot carrier degradation and roll off characteristics of threshold voltage (Vtl) on NMOSFETs as I/O transistor are studied as a function of Lightly Doped Drain (LDD) structures. Pocket dose and the combination of Phosphorus (P) and Arsenic (As) dose are applied to control Vtl roll off down to the 10 % gate length margin. It was seen that the relationship between Vtl roll off characteristic and substrate current depends on P dopant dose. For the first time, we found that the n-p-n transistor triggering voltage (Vtl) depends on drain current, and both It2 and snapback holding voltage (Vsp) depend on the substrate current by characterization with a transmission line pulse generator. Also it was found that the improved lifetime for hot carrier stress could be obtained by controlling the P dose as loosing the Vtl roll off margin. This study suggests that the trade-off characteristic between gate length margin and channel hot carrier (CHC) lifetime in NMOSFETs should be determined by considering Electrostatic Discharge (ESD) characteristic.
#CHC lifetime #Submicron MOSFET #Threshold voltage #ESD characteristics #LDD structure

목차

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참고문헌 (11)

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/ 1979. / 1㎛ MOSFET VLSI technology: Part IV-hot electron design constraints ed-26 : 346 ~ google schola / 1983. / An empirical model for device degradation due to hot-carrier injection edl-4 (4) : 111 ~ google schola / 1994. / Hot-carrier induced electron mobility and series resistance degradation in LDD NMOSFET's 15 (12) : 499 ~ google schola / 1995. / Two-stage hot-carrier degradation and its impact on submicrometer LDD NMOSFET lifetime prediction 42 (5) : 957 ~ google schola / 1998. / Hot-electron reliability and ESD latent damage : 15 ~ google schola

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