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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제29권 제1호
발행연도
2016.1
수록면
6 - 10 (5page)

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본 연구에서는 Indium이 첨가되지 않은 용액기반의 Zn-Sn-O(ZTO) 박막트랜지스터에 소프트 베이킹 온도의 영향에 대해서 연구하였다. 600℃의 고온의 열처리를 거쳤음에도 불구하고, 소프트 베이킹 온도(180∼250℃)의 작은 차이에 의해 ZTO TFT의 전기적 특성은 크게 변하였다. 소프트 베이킹 온도가 증가 할수록 TFT의 성능은 나빠졌다. 그러므로 용액기반의 고성능 TFT 제작을 위해서 소프트 베이킹을 통해 ZTO 박막으로부터 물과 관련된 결함뿐만 아니라 유기 불순물을 제거하는 것은 중요하다.

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