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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 999 - 1,003 (5page)
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In this paper, CdS thin films well-known to window layer for solar cell were fabricated by means of vacuum evaporation method treated with different substrate heating. During film fabrication the substrates were heated at 50, 75 and 100℃, respectively. The thin films were then annealed at 200℃ in atmosphere, and the electrical and optical properties were investigated. By annealing, the hexagonal structure of films was changed into cubic structure. Their transmissivity was also increased and moved to longer wave band. It was shown that the film fabricated with the substrate heat-treated at 50℃ had the lowest resistivity.
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G. G. Slawh / 1991 / Optical and electrical properties of CdS thin films prepared by spraying pyrolysis thechnique / J. Math. Phys. 12 : 91 ~
H. Ariza-Calderon / 1996 / Photoluminescence measurements in the phase transition region for CdS thin film / J. Vac. Sci. Technol. 14 (4) : 2480 ~
K. Konan / 2007 / Absorption coefficient and energy gap of vacuum free CSVT deposited CuInSe2 thin films / J. Applied Sci. 7 (18) : 2646 ~
M. Kostoglou / 2003 / Incipient CdS thin film formation / J. Colloid Interface Sci. 263 (1) : 177 ~
M. Padraj / 2005 / Characterization of undoped and Cu doped CdS thin films using photo-thermal and other techniques / Phys. Stat. Sol. (a) 22 (3) : 425 ~
H. Ariza-Calderon / 1996 / Photoluminescence measurements in the phase transition region for CdS thin film / J. Vac. Sci. Technol. 14 (4) : 2480 ~
K. Konan / 2007 / Absorption coefficient and energy gap of vacuum free CSVT deposited CuInSe2 thin films / J. Applied Sci. 7 (18) : 2646 ~
M. Kostoglou / 2003 / Incipient CdS thin film formation / J. Colloid Interface Sci. 263 (1) : 177 ~
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