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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제9호
발행연도
2006.1
수록면
818 - 824 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2006

새로운 전계 제한테 구조를 갖는 탄화규소 기판의 쇼트키 다이오드의 제작과 특성 분석
정희종 ,  한대현 ,  이용재 한국정보통신학회논문지 2006.07 학술저널
고온 열처리 공정이 탄화규소 쇼트키 다이오드 특성에미치는 영향
정희종 ,  김남균 ,  이용재 외 5명 전기전자재료학회논문지 2006.01 학술저널

2005

초역방향 항복전압을 위한 탄화규소(4H-SiC) 기판의 쇼트키 다이오드의 특성 분석
정희종 ,  방욱 ,  강인호 외 1명 제어로봇시스템학회 합동학술대회 논문집 2005.12 학술대회자료

초록· 키워드

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The effects of high-temperature process required to fabricate the SiC devices on the surface morphology and the electrical characteristics were investigated for 4H-SiC Schottky diodes. The 4H-SiC diodes without a graphite cap layer as a protection layer showed catastrophic increase in an excess current at a forward bias and a leakage current at a reverse bias after high-temperature annealing process. Moreover it seemed to deviate from the conventional Schottky characteristics and to operate as an ohmic contact at the low bias regime. However, the 4H-SiC diodes with the graphite cap still exhibited their good electrical characteristics in spite of a slight increase in the leakage current. Therefore, we found that the graphite cap layer serves well as the protection layer of silicon carbide surface during high-temperature annealing. Based on a closer analysis on electric characteristics, a conductive surface transfiguration layer was suspected to form on the surface of diodes without the graphite cap layer during high-temperature annealing. After removing the surface transfiguration layer using ICP-RIE, Schottky diode without the graphite cap layer and having poor electrical characteristics showed a dramatic improvement in its characteristics including the ideality factor[η] of 1.23, the schottky barrier height[φ] of 1.39 eV, and the leakage current of 7.75×10-8 A/㎠ at the reverse bias of -10 V.
#Silicon carbide #Schottky diode #High temperature annealing #Surface transfiguration layer #Graphite cap #Leakage current

목차

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/ 1995. / Power Semiconductor Devices : 182 ~ google schola / 1998. / Surface morphology of ion implanted silicon carbide charlottesville : 24 ~ google schola / 1999 / Annealing of ion implantaion damage in SiC using a graphite mask 572 : 45 ~ google schola / 2000. / Characterization and performance comparsion of the power DIMOS structure fabricated with a reduced thermal budget in 4H and 6H-SiC 44 (2) : 309 ~ google schola / 2001. / Nitrogen ion implantation into α-SiC epitaxial layers 162 (1) : 263 ~ google schola

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