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학술저널
저자정보
정대율 (한국과학기술원) Yang Sang Yoon (KAIST) Park Hamin (KAIST) Shin Woo Cheol (KAIST) 오중건 (한국과학기술원) Cho Byung Jin (KAIST) 최성열 (KAIST)
저널정보
나노기술연구협의회 Nano Convergence Nano Convergence Vol.2 No.11
발행연도
2015.6
수록면
1 - 17 (17page)
DOI
10.1186/s40580-015-0042-x

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A decade after the discovery of graphene flakes, exfoliated from graphite, we have now secured large scale and high quality graphene film growth technology via a chemical vapor deposition (CVD) method. With the establishment of mass production of graphene using CVD, practical applications of graphene to electronic devices have gained an enormous amount of attention. However, several issues arise from the interfaces of graphene systems, such as damage/unintentional doping of graphene by the transfer process, the substrate effects on graphene, and poor dielectric formation on graphene due to its inert features, which result in degradation of both electrical performance and reliability in actual devices. The present paper provides a comprehensive review of the recent approaches to resolve these issues by interface engineering of graphene for high performance electronic devices. We deal with each interface that is encountered during the fabrication steps of graphene devices, from the graphene/metal growth substrate to graphene/high-k dielectrics, including the intermediate graphene/target substrate.
#Graphene Interface engineering Transfer Delamination Mobility Doping Hysteresis Substrate effect Dielectric Transistor

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KS Novoselov / 2004 / Electric field effect in atomically thin carbon films / Science 306:666~669 google schola KS Novoselov / 2005 / Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene / Nature 438:197~200 google schola KI Bolotin / 2008 / Ultrahigh electron mobility in suspended graphene / Solid. State. Commun 146:351~355 google schola KS Novoselov / 2005 / Two-dimensional atomic crystals / Proc. Natl. Acad. Sci. U. S. A 102:10451~10453 google schola SV Morozov / 2008 / Giant intrinsic carrier mobilities in graphene and its bilayer / Phys. Rev. Lett 100:016602 google schola

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