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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제33권 제4호
발행연도
2020.1
수록면
263 - 270 (8page)

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본 연구는 실리콘에 이온 주입된 알루미늄의 확산효과와 물리적인 메커니즘 을 조사하였다. 전력반도체소자의 제작을 위해서 알루미늄 이온주입은 전력다이오드, 트랜지스터, 그리고 사이리스터에서 이미터와 긴 드리프트영역을 위해서 사용될 수 있다. 알루미늄이 주입된 실리콘기판은 산소가스 분위기에서 열처리한 경우가 질소가스에서 열처리한 경우보다 현저히 더 깊은 접합구조의 프로파일을 나타내었다. 열처리에 의해서 이온 주입된 알루미늄의 확산프로파일은 산소가스분위기에서 산화 증대에 기인한 확산효과를 나타내었다. 이온주입과 확산실험에 대한 도핑농도 분포를 조사하기 위해서 SR 과 SIMS 장치들이 측정을 위해서 사용되었다. 본 실험의 깊은 접합을 위해서 알루미늄 이온주입과 확산은 전력실리콘소자들의 제작을 위해서 20 ㎛ 까지 의 깊은 접합 구조를 형성하였고 900℃에서 1100℃ 온도구간에서 실험데이터에 근거하여 확산계수를 구하는 정확한 방법과 확산모델을 제시하였다.

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C. S. Fuller / 1956 / J. Appl. Phys 27:544 Crossref G. Galvagno / 1993 / Semicond. Sci. Technol 8:488 Crossref Z. Yang / 1994 / Mater. Res. Soc. Symp. Proc 354:207 Crossref E. Halder / 1989 / Phys. Scr 39:406 Crossref Ch. Ortiz / 2000 / J. Appl. Phys 87:2661 Crossref

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