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저자정보
Ruiyun Fu (Mercer University) Enrico Santi (University of South Carolina) Yucheng Zhang (South Dakota School of Mines & Technology)
저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 ICPE 2015-ECCE Asia
발행연도
2015.6
수록면
190 - 195 (6page)

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The goal of this work is to develop a physicsbased SiC MOSFET model with a simplified description of linear and saturation operation mechanism in the channel and JFET region. Finite element simulations show that most of the increased voltage drop at saturation occurs at the end of the channel and in the JFET region close to the channel, which is the region where the current spreads out from the channel. A simplified model is proposed to simply describe the mechanism of current saturation of power SiC MOSFET using a nonlinear voltage source at the end of the channel. The model is validated both statically and under resistive and inductive switching conditions for SiC MOSFET.
#SiC MOSFET #current spreading region #JFET region #simplified description model.

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. FINITE ELEMENT SIMULATION
III. MODEL DEVELOPMENT
IV. MODEL VALIDATION
V. DISCUSSION
VI. CONCLUSION
REFERENCES

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