개인구독
소속 기관이 없으신 경우, 개인 정기구독을 하시면 저렴하게
논문을 무제한 열람 이용할 수 있어요.
지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 706 - 710 (5page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
The substrate bias effect on the current level of SOI-MOSFETs for high temperature operation has been investigated. In this work, we demonstrate the current level of SOI-MOSFETs can be controlled at different temperatures by applying a control bias to the substrate, showing that all current levels below T=150 °C can be adjusted to a constant current level. 2D numerical simulation results show that substrate bias effectively controls the current conduction; as the substrate bias effectively lower the potential of the channel, inversion carrier generation is effectively controlled and consequently a constant current conduction level is achieved up to T=150 °C. We also demonstrate that the device simulated in this work has same operation at any temperature below T=150 °C through mixed mode simulation.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (4)
참고문헌 신청
D.M. Fleetwood / 1988 / High-temperature silicon-on-insulator electronics for space nuclear power systems: requirements and feasibility / IEEE Trans. on Nuc. Sci 35 : 1099 ~
G.G. Shahidi / 2002 / SOI technology for the GHz era / IBM J. Res. Dev 46 (2/3) : 121 ~
S.B. Park / 1999 / A 0.25-μm, 600-MHz, 1.5-V, fully depleted SOI CMOS 64-bit microprocessor / IEEE J. Solid-State Cir 34 (11) : 1436 ~
S.M. Koo / 2003 / Multifunction integration of junction-MOSFETs and nonvolatile FETs on a single 4H-SiC substrate for 300 °C operation / IEDM '03 Technical Digest : 23.4.1 ~
G.G. Shahidi / 2002 / SOI technology for the GHz era / IBM J. Res. Dev 46 (2/3) : 121 ~
S.B. Park / 1999 / A 0.25-μm, 600-MHz, 1.5-V, fully depleted SOI CMOS 64-bit microprocessor / IEEE J. Solid-State Cir 34 (11) : 1436 ~
S.M. Koo / 2003 / Multifunction integration of junction-MOSFETs and nonvolatile FETs on a single 4H-SiC substrate for 300 °C operation / IEDM '03 Technical Digest : 23.4.1 ~
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향 ( An Effect of Back-Gate Bias on Static Current Characteristics in SOI-MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
SOI MOSFET의 정전류 특성에 대한 후면 Bias의 영향
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
SOI(Silicon-on-Insulator) 소자에서 후면 Bias에 대한 전기적 특성의 의존성
한국재료학회 학술발표대회
1993 .01
-
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구 ( A Study on I-V Characteristics of n-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
n-채널 SOI MOSFET의 I-V 특성연구
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
-
Back-bias 효과에 의한 SOI소자의 항복전압 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1993 .11
-
Substrate Bias Dependent Subthreshold Slope Model for SOI MOSFET`s
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
Substrate Bias Dependent Subthreshold Slope Model for SOI MOSFET’s
대한전자공학회 학술대회
1994 .07
-
n채널 SOI MOSFET의 제작과 특성 ( Fabrication and Characterization of the N-Channel SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
-
SOI MOSFET의 Constant Voltage Scaling
대한전자공학회 워크샵
1990 .01
-
SOI MOSFET 의 소자 파라미터 추출 ( Extraction of Device Parameter for SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1991 .11
-
A New SOI Inverter Using Active Body-Bias
ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications
1998 .01
-
SOI 기술의 연구동향
전자공학회지
1987 .08
-
APPLICATIONS OF SOI DEVICE TECHNOLOGY
한국표면공학회지
1996 .10
-
Dependency of Program Efficiency on Implementation Conditions for NOR Type Silicon-on-Insulator (SOI) Flash Memory
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2008 .06
-
소규모의 SOI MOSFET의 문턱 전압에 관한 연구 ( A Study on the Threshold Voltage of Small SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1992 .01
-
A High Speed SOI Inverter Using Active Body-Bias
대한전자공학회 학술대회
1998 .01
-
Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선
전자공학회논문지-SD
2004 .04
-
GROWTH OF SiC FILMS ON SOI SUBSTRATES
한국재료학회 학술발표대회
1998 .01
-
수소 플라즈마를 이용한 SOI 기판 제작 및 SOI 전력용 반도체 소자 제작에 관한 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2000 .11
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0