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논문 기본 정보
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- 학술대회자료
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications ICEIC : 2008
- 발행연도
- 2008.6
- 수록면
- 412 - 415 (4page)
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Many types of flash memory devices are fabricated on silicon-on-insulator (SOI) substrate for higher program efficiency nowadays [1]. However, it is relatively difficult to predict the program efficiency of NOR type flash memory device using channel hot electron injection (CHEI) mechanism accurately since metal-oxide-semiconductor (MOSFET) on SOI has a floating body. For this reason, the property of SOI memory device is quite different from that of bulk silicon device where the program efficiency can be easily controlled by the back substrate bias [2]. In spite of the difficulty in the enhancement of program efficiency assisted by substrate biasing, there are factors enabling the enhancement of efficiency. In this work, the dependence of program efficiency for SOI memory device with 200 ㎚ channel length on implementation conditions such as SOI thickness and channel doping concentration was investigated with the aid of numerical device simulation [3].
목차
Abstract
1. Introduction
2. Strategies in simulation works
3. Dependence of program efficiency on SOI thickness
4. Dependence of program efficiency on SOI doping concentration
5. Conclusions
Acknowledgments
References
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